IGBT

概述：

华灿电子设计开发的新一代IGBT产品系列，产品研制采用国际最新的Trench FS/CSTBT技术，功率密度更高，适用于高端应用电子系统。产品覆盖600V～6500V，并可根据客户要求进行产品定制化开发。华灿电子以1200V/750V产品作为切入点，结合国内领先的工艺线实际能力，融入工艺可行的最新设计技术。

特征：

1200V IGBT technology offering：
• High efficiency in hard switching and resonant topologies
• Low EMI
• Low Gate Charge Qg
• Very soft, fast recovery full current anti-parallel diode
• Maximum junction temperature 175°C