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VDMOS

概述:

VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比,它的开关速度,开关损耗小;输入阻抗高,驱动功率小;频率特性好;跨导高度线性。特别值得指明出的是,它具有负的温度系数,没有双极功率的二次穿问题,安全工作出了区大。因此,不论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是理想的功率器件。

现在,VDMOS器件已广泛应用于各种领域,包括电机调速、逆变器、不间熠电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于VDMOS的性能价格比已优于双极功率器件,它在功率器件市声中的份额持续攀升。

华灿电子从2010年起开始研发生产自主品牌的VDMOS产品,现有产品覆盖50V~600V范围,并可根据客户要求进行开发。

VDMOS产品系列产品

Type
型号

package
封装形式

BVDSS
(V)

ID
(A)

Ptot
(W)

Rdson
(
Ω)

HC1N60

TO-251

600

1

26

10

HC2N60

TO-251

600

2

35

4

HC4N60

TO-220A

600

4

100

2.5

HC3N50

TO-251

500

3

30

2.8

HC5N50

TO-220A

500

5

74

1.5

HC75N75

TO-220A

75

75

 

 

HC80N80

TO-220A

85

85

 

 

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